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ブラウズ : 著者 TOKUDA, Yutaka
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| 発行日 | タイトル | 著者 |
| 2005年3月31日 | DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価 | 中嶋, 紘治; 徳田, 豊; NAKASHIMA, Koji; TOKUDA, Yutaka |
| 2000年6月30日 | Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 1983年3月31日 | MOS界面準位密度の自動測定 | 徳田, 豊; TOKUDA, Yutaka |
| 1996年3月31日 | p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価 | 加藤, 勇夫; 徳田, 豊; KATO, Isao; TOKUDA, Yutaka |
| 2006年7月1日 | RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価 | 岩田, 博之; 清水, 孝延; 横井, 久人; 石神, 龍哉; 伊藤, 慶文; 徳田, 豊; 高木, 誠; IWATA, Hiroyuki; SHIMIZU, T; YOKOI, H; ISHIGAMI, T; ITO, Y; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto |
| 1991年3月31日 | X線光電子分光法によるGaAs表面の評価 | 徳田, 豊; 鈴木, 均; 井上, 彌治郎; TOKUDA, Yutaka; SUZUKI, Hitoshi; INOUE, Yajiro |
| 1986年3月31日 | ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性 | 都築, 幸久; 徳田, 豊; 石原, 伸一郎; 宇佐美, 晶; TSUZUKI, Yukihisa; TOKUDA, Yutaka; ISHIHARA, Shinichiro; USAMI, Akira |
| 1992年3月31日 | パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作 | 徳田, 豊; 下方, 稔久; TOKUDA, Yutaka; SHIMOKATA, Toshihisa |
| 2001年6月30日 | プロトン注入シリコンの加熱その場観察 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 2003年1月20日 | プロトン剥離現象における不純物依存性 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 1998年3月31日 | 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価 | 池田, 幸治; 伊藤, 明; 徳田, 豊; IKEDA, K.; ITO, Akira; TOKUDA, Yutaka |
| 1989年3月31日 | 光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究 | 内田, 悦行; 赤尾, 保男; 徳田, 豊; 山田, 諄; 市川, 真人; 新宮, 博康; 岡田, 静雄; 小島, 幹雄; 原, 憲司; UCHIDA, Yoshiyuki; AKAO, Yasuo; TOKUDA, Yutaka; YAMADA, Jun; ICHIKAWA, Mahito; SHINGU, Hiroyasu; OKADA, Shizuo; KOJIMA, Mikio; HARA, Kenji |
| 1999年6月30日 | 高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用 | 徳田, 豊; 高木, 誠; 岩田, 博之; 大島, 久純; 伊藤, 明; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IWATA, Hiroyuki; OHSHIMA, Hisatugu; ITO, Akira |
| 1999年6月30日 | 水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察 | 岩田, 博之; 金森, 栄次; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; KANAMORI, Eiji; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 1976年3月31日 | 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響 | 徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira |
| 1980年3月31日 | 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理 | 徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira |
| 2003年7月20日 | 低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析 | 岩田, 博之; 徳田, 豊; 高木, 誠; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IMURA, Toru |
| 2012年3月31日 | 低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較 | 柴田, 龍成; 本田, 銀熙; 徳田, 豊; SHIBATA, Tatsunari; HONDA, Unhi; TOKUDA, Yutaka |
| 1978年3月31日 | 半導体中の深い準位を検出するための一方法 | 徳田, 豊; 田立, 典泰; 松村, 覚; TOKUDA, Yutaka; TADACHI, Noriyasu; MATSUMURA, Satoru |
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