|
AIT Associated Repository of Academic Resources >
A．研究報告 >
A1 愛知工業大学研究報告 >
3．愛知工業大学研究報告 .B(1976-2007) >
40号 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/11133/1264
|
| タイトル: | DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価 |
| その他のタイトル: | DLTS study of electron traps in SiC Schottky diodes |
| 著者: | 中嶋, 紘治
徳田, 豊
NAKASHIMA, Koji
TOKUDA, Yutaka |
| 発行日: | 2005年3月31日 |
| 出版者: | 愛知工業大学 |
| 抄録: | Electron traps in commercially available SiC Schottky diodes have been characterized by deep level transient spectroscopy (DLTS). Two discrete DLTS peaks corresponding to the energy levels of EC - 0.16 and 0.67 eV are observed in addition to broader signals with deeper energy levels. The EC - 0.16 and 0.67 levels are identified as the Cr impurity and Z1 center, respectively. A 140% increase in concentration for the Z1 center is found by the 2.5 A forward current stress for 1200 min. The broader signals are resolved by isothermal DLTS and are found to consist of five components with the emission activation energies ranging from 0.71 to 0.85 eV. These five components show the filling pulse width dependence in the s range |
| URI: | http://hdl.handle.net/11133/1264 |
| 出現コレクション: | 40号
|
このリポジトリに保管されているアイテムは、他に指定されている場合を除き、著作権により保護されています。
|
English
