DSpace DSpace English
 

AIT Associated Repository of Academic Resources >
A.研究報告 >
A1 愛知工業大学研究報告 >
4.愛知工業大学研究報告 (2008-) >
47号 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/11133/1518

タイトル: 低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較
その他のタイトル: テイオン タイセキ AlN GaN バッファ ソウ サファイア キバン ジョウ ニ サクセイ シタ MOCVD n-Gan ノ フカイ ジュンイ ノ ヒカク
Comparision of deep levels in n-GaN grown by MOCVD on Sapphires with LT-AlN and GaN buffer layers
著者: 柴田, 龍成
本田, 銀熙
徳田, 豊
SHIBATA, Tatsunari
HONDA, Unhi
TOKUDA, Yutaka
発行日: 2012年3月31日
出版者: 愛知工業大学
抄録: We investigated the variations of trap concentrations in n-GaN films by changing buffer layer type (LT-AlN and GaN) and GaN film thickness. Two electron traps labeled E1 (Ec-0.24eV) and E3 (Ec-0.59eV) are observed in all samples by DLTS spectra. The E1 trap shows the logarithmic capture kinetics, which suggests dislocation-related defects. Trap concentration of this trap is lower in the thick GaN film. In addition, the E1 trap concentration in n-GaN film grown on LT-GaN decrease largely as compared to those on LT-AlN buffer layers. On the other hand, no variation in the E2 trap concentration is observed. This result indicates that the E2 trap corresponds to native point defects. Three hole traps labeled H1 (Ev+0.88eV), H1' (Ev+ ~0.4eV) and H2 (Ev+0.26eV) are found by MCTS spectra. The H1 trap is attributed to the C or VGa. Moreover, this trap is the most dominant and shows no variation in all samples. In case of an additional trap H1', the trap concentration has Gaussian distribution of energy levels. This trap obtained in n-GaN on n+-GaN is lower than n-GaN films on Sapphire substrates.
URI: http://hdl.handle.net/11133/1518
出現コレクション:47号

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
紀要47号(P165-173).pdf771.01 kBAdobe PDF見る/開く

このリポジトリに保管されているアイテムは、他に指定されている場合を除き、著作権により保護されています。

 

Valid XHTML 1.0! Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください