|
|
AIT Associated Repository of Academic Resources >
Browsing by Author TOKUDA, Yutaka
Showing results 1 to 19 of 19
| Issue Date | Title | Author(s) |
| 31-Mar-2005 | DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価 | 中嶋, 紘治; 徳田, 豊; NAKASHIMA, Koji; TOKUDA, Yutaka |
| 30-Jun-2000 | Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 31-Mar-1983 | MOS界面準位密度の自動測定 | 徳田, 豊; TOKUDA, Yutaka |
| 31-Mar-1996 | p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価 | 加藤, 勇夫; 徳田, 豊; KATO, Isao; TOKUDA, Yutaka |
| 1-Jul-2006 | RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価 | 岩田, 博之; 清水, 孝延; 横井, 久人; 石神, 龍哉; 伊藤, 慶文; 徳田, 豊; 高木, 誠; IWATA, Hiroyuki; SHIMIZU, T; YOKOI, H; ISHIGAMI, T; ITO, Y; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto |
| 31-Mar-1991 | X線光電子分光法によるGaAs表面の評価 | 徳田, 豊; 鈴木, 均; 井上, 彌治郎; TOKUDA, Yutaka; SUZUKI, Hitoshi; INOUE, Yajiro |
| 31-Mar-1986 | ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性 | 都築, 幸久; 徳田, 豊; 石原, 伸一郎; 宇佐美, 晶; TSUZUKI, Yukihisa; TOKUDA, Yutaka; ISHIHARA, Shinichiro; USAMI, Akira |
| 31-Mar-1992 | パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作 | 徳田, 豊; 下方, 稔久; TOKUDA, Yutaka; SHIMOKATA, Toshihisa |
| 30-Jun-2001 | プロトン注入シリコンの加熱その場観察 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 20-Jan-2003 | プロトン剥離現象における不純物依存性 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 31-Mar-1998 | 一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価 | 池田, 幸治; 伊藤, 明; 徳田, 豊; IKEDA, K.; ITO, Akira; TOKUDA, Yutaka |
| 31-Mar-1989 | 光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究 | 内田, 悦行; 赤尾, 保男; 徳田, 豊; 山田, 諄; 市川, 真人; 新宮, 博康; 岡田, 静雄; 小島, 幹雄; 原, 憲司; UCHIDA, Yoshiyuki; AKAO, Yasuo; TOKUDA, Yutaka; YAMADA, Jun; ICHIKAWA, Mahito; SHINGU, Hiroyasu; OKADA, Shizuo; KOJIMA, Mikio; HARA, Kenji |
| 30-Jun-1999 | 高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用 | 徳田, 豊; 高木, 誠; 岩田, 博之; 大島, 久純; 伊藤, 明; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IWATA, Hiroyuki; OHSHIMA, Hisatugu; ITO, Akira |
| 30-Jun-1999 | 水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察 | 岩田, 博之; 金森, 栄次; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; KANAMORI, Eiji; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
| 31-Mar-1976 | 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響 | 徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira |
| 31-Mar-1980 | 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理 | 徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira |
| 20-Jul-2003 | 低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析 | 岩田, 博之; 徳田, 豊; 高木, 誠; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IMURA, Toru |
| 31-Mar-2012 | 低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較 | 柴田, 龍成; 本田, 銀熙; 徳田, 豊; SHIBATA, Tatsunari; HONDA, Unhi; TOKUDA, Yutaka |
| 31-Mar-1978 | 半導体中の深い準位を検出するための一方法 | 徳田, 豊; 田立, 典泰; 松村, 覚; TOKUDA, Yutaka; TADACHI, Noriyasu; MATSUMURA, Satoru |
Showing results 1 to 19 of 19
|
日本語
