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ブラウズ : 著者 TOKUDA, Yutaka

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発行日タイトル著者
2005年3月31日DLTS法によるSiCショットキダイオードの電子トラップの評価中嶋, 紘治; 徳田, 豊; NAKASHIMA, Koji; TOKUDA, Yutaka
2000年6月30日Hイオン注入されたシリコンの欠陥分布観察岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru
1983年3月31日MOS界面準位密度の自動測定徳田, 豊; TOKUDA, Yutaka
1996年3月31日p型Czochralski成長シリコンウェーハのDLTS評価加藤, 勇夫; 徳田, 豊; KATO, Isao; TOKUDA, Yutaka
2006年7月1日RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価岩田, 博之; 清水, 孝延; 横井, 久人; 石神, 龍哉; 伊藤, 慶文; 徳田, 豊; 高木, 誠; IWATA, Hiroyuki; SHIMIZU, T; YOKOI, H; ISHIGAMI, T; ITO, Y; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto
1991年3月31日X線光電子分光法によるGaAs表面の評価徳田, 豊; 鈴木, 均; 井上, 彌治郎; TOKUDA, Yutaka; SUZUKI, Hitoshi; INOUE, Yajiro
1986年3月31日ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性都築, 幸久; 徳田, 豊; 石原, 伸一郎; 宇佐美, 晶; TSUZUKI, Yukihisa; TOKUDA, Yutaka; ISHIHARA, Shinichiro; USAMI, Akira
1992年3月31日パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作徳田, 豊; 下方, 稔久; TOKUDA, Yutaka; SHIMOKATA, Toshihisa
2001年6月30日プロトン注入シリコンの加熱その場観察 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru
2003年1月20日プロトン剥離現象における不純物依存性岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru
1998年3月31日一定容量電圧過渡分光法によるバルクGaAs結晶中電子トラップの評価池田, 幸治; 伊藤, 明; 徳田, 豊; IKEDA, K.; ITO, Akira; TOKUDA, Yutaka
1989年3月31日光転写法による光学素子の作製と精密光技術応用システムに関する研究内田, 悦行; 赤尾, 保男; 徳田, 豊; 山田, 諄; 市川, 真人; 新宮, 博康; 岡田, 静雄; 小島, 幹雄; 原, 憲司; UCHIDA, Yoshiyuki; AKAO, Yasuo; TOKUDA, Yutaka; YAMADA, Jun; ICHIKAWA, Mahito; SHINGU, Hiroyasu; OKADA, Shizuo; KOJIMA, Mikio; HARA, Kenji
1999年6月30日高ドーズ水素イオン注入シリコンの物性とそのSOI製作への応用徳田, 豊; 高木, 誠; 岩田, 博之; 大島, 久純; 伊藤, 明; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IWATA, Hiroyuki; OHSHIMA, Hisatugu; ITO, Akira
1999年6月30日水素イオン注入により発生したシリコン結晶内プレートレットのTEM観察岩田, 博之; 金森, 栄次; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; KANAMORI, Eiji; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru
1976年3月31日中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira
1980年3月31日中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理徳田, 豊; 宇佐美, 晶; TOKUDA, Yutaka; USAMI, Akira
2003年7月20日低温水素イオン注入により導入されたシリコン結晶欠陥の特性分析岩田, 博之; 徳田, 豊; 高木, 誠; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto; IMURA, Toru
2012年3月31日低温堆積AlN,GaN バッファ層/サファイア基板上に作製したMOCVD n-GaN の深い準位の比較柴田, 龍成; 本田, 銀熙; 徳田, 豊; SHIBATA, Tatsunari; HONDA, Unhi; TOKUDA, Yutaka
1978年3月31日半導体中の深い準位を検出するための一方法徳田, 豊; 田立, 典泰; 松村, 覚; TOKUDA, Yutaka; TADACHI, Noriyasu; MATSUMURA, Satoru
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