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ブラウズ : 著者 徳田, 豊
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発行日 | タイトル | 著者 |
2006年7月1日 | RBS/Cを用いた水素イオン注入欠陥の評価 | 岩田, 博之; 清水, 孝延; 横井, 久人; 石神, 龍哉; 伊藤, 慶文; 徳田, 豊; 高木, 誠; IWATA, Hiroyuki; SHIMIZU, T; YOKOI, H; ISHIGAMI, T; ITO, Y; TOKUDA, Yutaka; TAKAGI, Makoto |
1991年3月31日 | X線光電子分光法によるGaAs表面の評価 | 徳田, 豊; 鈴木, 均; 井上, 彌治郎; TOKUDA, Yutaka; SUZUKI, Hitoshi; INOUE, Yajiro |
1986年3月31日 | ショットキダイオードのアドミタンス測定から評価したa-Si:Hの抵抗率の膜厚依存性 | 都築, 幸久; 徳田, 豊; 石原, 伸一郎; 宇佐美, 晶; TSUZUKI, Yukihisa; TOKUDA, Yutaka; ISHIHARA, Shinichiro; USAMI, Akira |
1992年3月31日 | パーソナルコンピュータを用いた半導体中トラップの評価システムの製作 | 徳田, 豊; 下方, 稔久; TOKUDA, Yutaka; SHIMOKATA, Toshihisa |
2014年10月10日 | プロトン注入シリコンの加熱その場観察 | 岩田, 博之; 高木, 誠; 徳田, 豊; 井村, 徹; IWATA, Hiroyuki; TAKAGI, Makoto; TOKUDA, Yutaka; IMURA, Toru |
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