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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11133/3778

Title: STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発
Other Titles: STEM-Ronchigram オ リヨウ スル LACBED ノ カイハツ
Authors: 岩田, 博之
坂, 公恭
IWATA, Hiroyuki
SAKA, Hiroyasu
Keywords: ワイドギャップ半導体
GaN
機械研磨
加工損傷
転位
PL
ラマン散乱
TEM
Issue Date: Nov-2020
Publisher: 愛知工業大学
URI: http://hdl.handle.net/11133/3778
Appears in Collections:(5)一般研究 令和元年度研究成果概要

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