AIT Associated Repository of Academic Resources: STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発

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タイトル:	STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発
その他のタイトル:	STEM-Ronchigram オリヨウスル LACBED ノカイハツ
著者:	岩田, 博之坂, 公恭 IWATA, Hiroyuki SAKA, Hiroyasu
キーワード:	ワイドギャップ半導体 GaN 機械研磨加工損傷転位 PL ラマン散乱 TEM
発行日:	2020年11月
出版者:	愛知工業大学
URI:	http://hdl.handle.net/11133/3778
出現コレクション:	（5）一般研究令和元年度研究成果概要

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総研22号一般研究成果概要02(p78-79).pdf		710.03 kB	Adobe PDF	見る/開く

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