AIT Associated Repository of Academic Resources: STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発

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Title:	STEM-Ronchigramを利用するLACBEDの開発
Other Titles:	STEM-Ronchigram オリヨウスル LACBED ノカイハツ
Authors:	岩田, 博之坂, 公恭 IWATA, Hiroyuki SAKA, Hiroyasu
Keywords:	ワイドギャップ半導体 GaN 機械研磨加工損傷転位 PL ラマン散乱 TEM
Issue Date:	Nov-2020
Publisher:	愛知工業大学
URI:	http://hdl.handle.net/11133/3778
Appears in Collections:	（5）一般研究令和元年度研究成果概要

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総研22号一般研究成果概要02(p78-79).pdf		710.03 kB	Adobe PDF	View/Open