DSpace DSpace 日本語
 

AIT Associated Repository of Academic Resources >
A.研究報告 >
A2 総合技術研究所研究報告 >
22号 >
(5)一般研究 令和元年度研究成果概要 >

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11133/3770

Title: 新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価
Other Titles: シンキ ビニルシラン ゲンリョウ オ モイイテ CVDホウ ニヨリ セイチョウ サセタ SiC ハクマク ヒョウカ
Authors: 竹内, 和歌奈
TAKEUCHI, Wakana
Keywords: SiC
半導体電極
水電解
Issue Date: Nov-2020
Publisher: 愛知工業大学
URI: http://hdl.handle.net/11133/3770
Appears in Collections:(5)一般研究 令和元年度研究成果概要

Files in This Item:

File Description SizeFormat
総研22号一般研究成果概要04(p83-85).pdf626.8 kBAdobe PDFView/Open

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.

 

Valid XHTML 1.0! DSpace Software Copyright © 2002-2010  Duraspace - Feedback