AIT Associated Repository of Academic Resources: 新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価

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タイトル:	新規ビニルシラン原料を用いてCVD法により成長させたSiC薄膜評価
その他のタイトル:	シンキビニルシランゲンリョウオモイイテ CVDホウニヨリセイチョウサセタ SiC ハクマクヒョウカ
著者:	竹内, 和歌奈 TAKEUCHI, Wakana
キーワード:	SiC 半導体電極水電解
発行日:	2020年11月
出版者:	愛知工業大学
URI:	http://hdl.handle.net/11133/3770
出現コレクション:	（5）一般研究令和元年度研究成果概要

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総研22号一般研究成果概要04(p83-85).pdf		626.8 kB	Adobe PDF	見る/開く

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