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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11133/4155

Title: 電子ビーム励起プラズマを用いた立方晶窒化ホウ素in-situ Mgドーピング技術の確立
Other Titles: デンシ ビーム レイキ プラズマ オ モチイタ リッポウショウ チッカ ホウソ in-situ Mg ドーピング ギジュツ ノ カクリツ
Authors: 竹内, 和歌奈
高島, 成剛
山川, 晃司
TAKEUCHI, Wakana
TAKASHIMA, Seigo
YAMAKAWA, Koji
Keywords: 窒化ホウ素
結晶成長
ワイドバンドギャップ半導体
ドーピング技術
半導体物性
デバイス特性
Issue Date: Oct-2022
Publisher: 愛知工業大学
URI: http://hdl.handle.net/11133/4155
Appears in Collections:(4)一般研究 令和3年度研究成果概要

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総研24号一般研究成果概要05(p87-89).pdf1.72 MBAdobe PDFView/Open

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