AIT Associated Repository of Academic Resources: ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索

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タイトル:	ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索
その他のタイトル:	ビニルシランオモチイタ SiC ハクマクケイセイノ in-situ リンドーピングゲンリョウタンサク
著者:	竹内, 和歌奈 TAKEUCHI, Wakana
キーワード:	シリコンカーバイド（SiC）半導体電極
発行日:	2021年11月
出版者:	愛知工業大学
URI:	http://hdl.handle.net/11133/3967
出現コレクション:	（4）一般研究令和2年度研究成果概要

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総研23号一般研究成果概要06(p74-75).pdf		695.87 kB	Adobe PDF	見る/開く

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