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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/11133/3967

Title: ビニルシランを用いたSiC薄膜形成のin-situリンドーピング原料探索
Other Titles: ビニルシラン オ モチイタ SiC ハクマク ケイセイ ノ in-situ リンドーピング ゲンリョウ タンサク
Authors: 竹内, 和歌奈
TAKEUCHI, Wakana
Keywords: シリコンカーバイド(SiC)
半導体電極
Issue Date: Nov-2021
Publisher: 愛知工業大学
URI: http://hdl.handle.net/11133/3967
Appears in Collections:(4)一般研究 令和2年度研究成果概要

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