DSpace DSpace English
 

AIT Associated Repository of Academic Resources >
A.研究報告 >
A2 総合技術研究所研究報告 >
03号 >

このアイテムの引用には次の識別子を使用してください: http://hdl.handle.net/11133/1593

タイトル: 超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究II 
その他のタイトル: チョウコウオン トクイ カンキョウ トランジスタ ノ カイハツ キソ ケンキュウ II
Development of a Diode in the Condition of High Temperature
著者: 新宮, 博康
鷲見, 哲雄
内田, 悦行
梅野, 正義
安井, 利定
SHINGU, Hiroyasu
SUMI, Tetsuo
UCHIDA, Yoshiyuki
UMENO, Masayoshi
YASUI, Toshisada
キーワード: electrical connection
heat generation
hot-zone
cuprous oxide
thermoelectromotive force
diode
発行日: 2001年6月30日
出版者: 愛知工業大学
抄録: This paper reports on an application of the hot-zone phenomenon caused by the electrical connection of copper wires. The temperature of the copper part of the electrical connection rises and cuprous oxide is formed in the connection. When cuprous oxide is formed, the condition of the boundary between the copper and the cuprous oxide is similar in electrical character to a diode. The resistivity of the cuprous oxide changes over a wide temperature range. The experiments were carried out by making a diode repeatedly on a trial basis and observing the electrical character of the thermoelectromotive force. In conclusion we propose that a new diode is made in the boundary layer of copper and cuprous oxide with the application of hot-zone phenomenon.
URI: http://hdl.handle.net/11133/1593
出現コレクション:03号

このアイテムのファイル:

ファイル 記述 サイズフォーマット
総研3号(P41-44).pdf946.17 kBAdobe PDF見る/開く

このリポジトリに保管されているアイテムは、他に指定されている場合を除き、著作権により保護されています。

 

Valid XHTML 1.0! Powered by DSpace Software Copyright © 2002-2007 MIT and Hewlett-Packard - ご意見をお寄せください