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http://hdl.handle.net/11133/1593
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タイトル: | 超高温特異環境トランジスタの開発基礎研究II |
その他のタイトル: | チョウコウオン トクイ カンキョウ トランジスタ ノ カイハツ キソ ケンキュウ II Development of a Diode in the Condition of High Temperature |
著者: | 新宮, 博康 鷲見, 哲雄 内田, 悦行 梅野, 正義 安井, 利定 SHINGU, Hiroyasu SUMI, Tetsuo UCHIDA, Yoshiyuki UMENO, Masayoshi YASUI, Toshisada |
キーワード: | electrical connection heat generation hot-zone cuprous oxide thermoelectromotive force diode |
発行日: | 2001年6月30日 |
出版者: | 愛知工業大学 |
抄録: | This paper reports on an application of the hot-zone phenomenon caused by the electrical connection of copper wires. The temperature of the copper part of the electrical connection rises and cuprous oxide is formed in the connection. When cuprous oxide is formed, the condition of the boundary between the copper and the cuprous oxide is similar in electrical character to a diode. The resistivity of the cuprous oxide changes over a wide temperature range. The experiments were carried out by making a diode repeatedly on a trial basis and observing the electrical character of the thermoelectromotive force. In conclusion we propose that a new diode is made in the boundary layer of copper and cuprous oxide with the application of hot-zone phenomenon. |
URI: | http://hdl.handle.net/11133/1593 |
出現コレクション: | 03号
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