|
AIT Associated Repository of Academic Resources >
A．研究報告 >
A2 総合技術研究所研究報告 >
02号 >
このアイテムの引用には次の識別子を使用してください:
http://hdl.handle.net/11133/1586
|
| タイトル: | 超高温特異環境トランジスタ開発基礎研究 |
| その他のタイトル: | チョウコウオン トクイ カンキョウ トランジスタ カイハツ キソ ケンキュウ
Development of a transistor in the condition of high temperature |
| 著者: | 新宮, 博康
鷲見, 哲雄
秦野, 和郎
内田, 悦行
梅野, 正義
安井, 利定
SHINGU, Hiroyasu
SUMI, Tetsuo
HATANO, Kazuo
UCHIDA, Yoshiyuki
UMENO, Masayoshi
YASUI, Toshisada |
| 発行日: | 2000年6月30日金曜日 |
| 出版者: | 愛知工業大学 |
| 抄録: | This paper reports on an application of the hot zone phenomenon caused by the electric connection of copper wire. The temperature of copper part of the electric connection rises higher and a cuprous oxide is formed in the connection part. When a cuprous oxide is formed, connected condition with copper and cuprous oxide is similar in electric character with a semiconductor. The resistivity of the cuprous oxide changes to 10^<-2>(Ωm) at 700℃ from 10^2 (Ωm) at room temperature. The electric character of boundary layer of the cuprous oxide is similar to that of a transistor. We can conclude that a new transistor are proposed one of the applications of hot zone phenomenon using the boundary layer of copper and cuprous oxide. |
| URI: | http://hdl.handle.net/11133/1586 |
| 出現コレクション: | 02号
|
このリポジトリに保管されているアイテムは、他に指定されている場合を除き、著作権により保護されています。
|
English
