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  <title>DSpace コレクション: 1978-03</title>
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  <dc:date>2026-04-03T21:51:13Z</dc:date>
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    <title>化学斑点法による煙霧体の粒度測定 : 硝酸塩水溶液ミストの粒度</title>
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      <name>佐野, 惈</name>
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      <name>太田, 洋</name>
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      <name>矢野, 洋三</name>
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    <updated>2013-01-10T16:33:40Z</updated>
    <published>1978-03-30T15:00:00Z</published>
    <summary type="text">タイトル: 化学斑点法による煙霧体の粒度測定 : 硝酸塩水溶液ミストの粒度
著者: 佐野, 惈; 太田, 洋; 矢野, 洋三</summary>
    <dc:date>1978-03-30T15:00:00Z</dc:date>
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    <title>不攪乱砂質土の液状化特性に関する実験的研究</title>
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      <name>奥村, 哲夫</name>
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      <name>大根, 義男</name>
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    <updated>2013-11-21T07:07:34Z</updated>
    <published>1978-03-30T15:00:00Z</published>
    <summary type="text">タイトル: 不攪乱砂質土の液状化特性に関する実験的研究
著者: 奥村, 哲夫; 大根, 義男
抄録: 本論は筆者らがこの二年間にわたって行なった乱されていない主として砂質試料の液状化特性に関するものである。液状化現象については現在までに多くの研究が行なわれているが,これらは主に乱した試料を対象としている。しかし,現地盤の砂はその推積過程,長年にわたる応力状態の変動等種々な影響を受け,液状化特性が攪乱砂の場合と全く異なるものと推察される。このことから,本研究は不攪乱砂と密接な関係にあると考えられる土質定数を見い出し,これと液状化強度の関係を求めることを目的とした。また,液状化に至るまでの残留間げき水圧,液状化時のヒズミ量,供試体の作成方法の相異と液状化強度の関係についても明らかにした。</summary>
    <dc:date>1978-03-30T15:00:00Z</dc:date>
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    <title>不飽和粘性土の動的変形特性に関する実験的研究</title>
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      <name>奥村, 哲夫</name>
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      <name>大根, 義男</name>
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    <id>http://hdl.handle.net/11133/479</id>
    <updated>2013-01-10T16:33:36Z</updated>
    <published>1978-03-30T15:00:00Z</published>
    <summary type="text">タイトル: 不飽和粘性土の動的変形特性に関する実験的研究
著者: 奥村, 哲夫; 大根, 義男
抄録: 人口的に締固めて作った不飽和土について動的三軸試験を行ない,その変形特性を議論した。その結果,飽和度の違いによって動的変形特性が著しく異なることが明らかとなった。また,せん断弾性係数に影響を及ぼす要因は静的なせん断強度に含まれることが知れた。さらに,Virgin- TestとStage- Testの結果を検討した結果,両者の相違はほとんど認められず,Stage- Testを行なって簡単に動的変形特性を求め得ることが知れた。</summary>
    <dc:date>1978-03-30T15:00:00Z</dc:date>
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    <title>半導体中の深い準位を検出するための一方法</title>
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      <name>徳田, 豊</name>
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      <name>田立, 典泰</name>
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      <name>松村, 覚</name>
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    <id>http://hdl.handle.net/11133/480</id>
    <updated>2013-01-10T16:33:36Z</updated>
    <published>1978-03-30T15:00:00Z</published>
    <summary type="text">タイトル: 半導体中の深い準位を検出するための一方法
著者: 徳田, 豊; 田立, 典泰; 松村, 覚
抄録: 半導体中の深い準位を検出するための一方法が提案される。この方法は,pn接合に印加されるバイアス電圧の急激な変化に判ない接合容量が過渡的に変化するという現象に基づく。従来,接合容量の過渡的変化はダブルボックスカーやロックインアンプを用いて検出されている。我々が提案する方法はロックインアンプによる方法をさらに改善したものである。我々が提案した方法が中性子照射されたSi p^+nダイオードに適用される。</summary>
    <dc:date>1978-03-30T15:00:00Z</dc:date>
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